三星加速引進EUV設備 拼2017年量產7納米

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 三星電子(Samsung Electronics)決定引進極紫外光微影制程(EUV)設備，加速發展晶圓代工事業，意圖加速超越臺積電等競爭者。不僅如此，近三星電子還開放為韓系中小型IC設計業者代工200mm(8吋)晶圓，積極擴展晶圓代工客戶。

　　據韓媒ET News報導，三星集團(Samsung Group)從2016年初對三星電子系統LSI事業部進行經營診斷，原本計劃3月底結束診斷作業，因故延長至4月，終評估后決定引進EUV設備，目標2017年量產7納米制程。

　　經營診斷過程中有部分意見認為，在考量客戶資訊保密與營運效率下，應將晶圓代工事業獨立分割，但后依舊決定在維持現行體系下，以先進技術超越同業競爭者，并積極爭取更多元的客戶群。

　　據了解，三星電子將在近期內向荷蘭微影設備大廠ASML購買新款EUV掃描機NXE:3400，交期定在2017年2~3季，待機臺裝設完成后將用于2017年底的7納米制程量產。

　　傳ASML總裁Peter Wennink將在本周訪韓，與三星電子討論EUV設備采購案;這將是三星電子首次在生產線上使用EUV設備。

　　日前三星電子系統LSI事業部在美矽谷舉行一場非公開的三星晶圓代工論壇，對客戶與合作廠商發表引入EUV設備的計劃。

　　與會業者表示，三星電子決定采用EUV設備，意味著將推出有別于臺積電的“完美的7納米”，同時象征三星電子認為，光靠浸潤式微影(Immersion Lithography)設備恐難完成7納米制程。

　　EUV設備多用于新一代系統半導體、晶圓代工制程。三星電子希望借由在7納米系統半導體制程中導入EUV，為客戶生產完美的7納米產品。臺積電目前仍無導入EUV設備量產的計劃。

　　曝光顯影過程是一連串半導體復雜的制程中關鍵的部分，目前主流是采193納米波長的氟化氬(ArF)準分子雷射光與浸潤式技術的微影設備。由于技術上只能轉印38納米的電路圖，半導體業者有小于30納米的曝光顯影需求時，通常需分2~3次進行，因此也使成本提高。

　　極紫外光(EUV)是介于紫外線(UV)與X光(X-line)之間的電磁波，波長為13.5納米，可刻畫小于10納米的電路圖案，至今尚未用于量產乃因EUV的晶圓處理速度較浸潤式設備來得慢。

　　半導體制程專家表示，三星電子將會把EUV設備用于處理閘極(Gate)等重要電路圖案顯影，其余制程則采用浸潤式設備與多重曝光(Patterning)技術。

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