RRAM技術突破將催生郵票大小的大容量SSD

 昆山smt    每個人都知道固態硬盤數據傳輸速度快，但容量仍然是其主要短板。英特爾和三星已經通過一種名為3D NAND的技術解決了這一問題。三星新款850 Evo固態硬盤存儲容量可以達到120GB，而尺寸僅略大于一個優盤，證明3D NAND能有效提高固態硬盤容量。

但3D NAND并非是唯一有助于提高固態硬盤容量的技術。成立于2010年的硬件創業公司Crossbar一直在開發一種名為RRAM(resistive random access memory，阻變式存儲器)的技術，這是一種非揮發性隨機訪問存儲器，意味著即使斷電后它存儲的信息也不會丟失。

Crossbar的方法涉及堆疊成類立方體結構的RRAM，理論上一塊芯片的存儲容量可以達到至多1TB。這聽起來很了不起吧？但它存在一個問題：正常情況下，內存芯片挨得如此近會造成電流泄露，導致能耗增加，糟糕的情況下甚至會使固態硬盤無法使用。用Crossbar的話說就是，“多個并行導電路徑會造成電流泄露，從而限制大陣列大小和增加能耗。”

這一限制會使Crossbar遭到“淘汰”，但Crossbar工程師表示，他們已經開發了一款被稱作1TnR的解決方案，把至多2000個存儲單元連接到一個晶體管。這種方案使得Crossbar可以避開電流泄露問題，意味著生產大容量固態硬盤的可能性大大提高了。另外，這種設計使得固態硬盤的使用壽命可以達到1億個使用周期，在50納秒內完成開啟和關閉狀態之間的切換。這使得其使用壽命超過了消費者的需求。

在實踐中，Crossbar的RRAM突破意味著它能夠把超大的固態硬盤存儲容量壓縮到郵票大小的空間內。這種固態硬盤的尺寸甚至小于利用三星V-NAND和英特爾3D NAND的固態硬盤。例如，11英寸的Chromebook將能配置1TB大小的固態硬盤。

不過用戶還需要等上更長一段時間，因為采用Crossbar技術的固態硬盤早要到明年末才會上市銷售。這類產品2016年上市銷售的可能性更大，廠商是否對Crossbar的技術感興趣尚不清楚，Crossbar沒有披露該公司的早期客戶。Crossbar的技術還面臨數個障礙，如果成功，采用Crossbar技術的固態硬盤將獲得急需的容量優勢。